• 姓名: 戴风伟
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 硕士研究生
  • 电话: 010-82995675
  • 传真: 
  • 电子邮件: daifengwei@ime.ac.cn
  • 所属部门: 封装中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2004.9---2007.3,北京科技大学,材料学院,材料学专业,工学硕士

    1998.9---2002.7,内蒙古工业大学,材料科学与工程学院,材料科学与技术专业,工学学士
    工作简历

    2012.12-今,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司(双跨),研发部副部长

    2009.08-今,中科院澳门皇家赌场娱乐 封装中心,副研究员

    2007.04-2009.08,富士康科技集团 清华-富士康纳米科技研究中心,材料研发工程师

    社会任职:

  • 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司(双跨),研发部副部长

    研究方向:

  • 2.5D/3D TSV 异构集成技术

    承担科研项目情况:

  • 承担国家02重大专项项目,包括“2.5D-TSV晶圆级互连技术(2013ZX02501001高密度三维集成先导技术研发(2014ZX02501003新型多种异质芯片SiP集成封装技术工艺开发(2017ZX02315005-004,作为课题负责人;

    承担973计划项目,微凸点均匀性生长的能量梯度影响规律与物质流能量流表征(2015CB057205的课题任务,作为技术负责人

    代表论著:

  • 发表学术论文50余篇

    专利申请:

  • 中国专利,57项,授权35

    美国专利,25项,授权,7

    获奖及荣誉:

  • 2017年,参与基于TSV2.5D/3D封装制造及系统集成技术,获得中国电子学会科学技术奖二等奖

    2018年,参与以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用,获得北京市科学技术奖二等奖