• 姓名: 李永亮
  • 性别: 男
  • 职称: 正高级工程师
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995860
  • 传真: 
  • 电子邮件: liyongliang@ime.ac.cn
  • 所属部门: 先导中心集成电路创新技术部
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2007-2011:皇家赌场网址hj9990,微电子学与固体电子学专业,工学博士

    2004-2007:辽宁大学物理学院,微电子学与固体电子学专业,理学硕士

    2000-2004:辽宁大学物理学院,电子科学与技术专业,工学学士

    工作简历

    2018-至今:皇家赌场网址hj9990,集成电路先导工艺研发中心,正高级工程师,从事亚10纳米三维器件与集成技术研究。

    2013-2017:新加坡联华电子公司(UMC),主任工程师,从事纳米CMOS器件和集成技术研究,主要负责逻辑产品、SRAM Macro以及eHV制程研发和平台建设。

    2011-2013:新加坡联华电子公司(UMC),高级工程师,从事纳米CMOS器件和集成技术研究,主要负责逻辑产品研发。

    社会任职:

    研究方向:

  • 亚10nm的三维器件及集成技术,SiGe/Ge高迁移率沟道,高k/金属栅栅工程。

    承担科研项目情况:

  • 1.  中国科学院率先行动(B类),2019年。

    2.  02专项“22纳米集成电路工艺重大关键技术及先导工艺实验室”06子课题“工艺整合与集成技术”,2009-2012年,1.97亿,已结题,参与。

    3.  02专项“22纳米集成电路工艺重大关键技术及先导工艺实验室”子课题“高k/金属栅工程”,2009-2012年,2355万,已结题,参与。

    4.  973课题“新一代集成技术基础问题研究”,2006-2010年,已结题,参与。

    5.  国家自然科学基金“高k栅介质/双金属栅器件研究及制备”,2008-2010年,35万,已结题,参与。

    代表论著:

  • 1.    Yongliang Li*, Qiuxia Xu, Wenwu Wang, and Jing Zhang. Fabrication Technique for pMOSFET poly-Si/TaN/TiN/HfSiAlON Gate Stack. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7 (10):P537-P540.

    2.    Yongliang Li*, Qiuxia Xu and Wenwu Wang. Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration. Chin. Phys. B, 2018, 27(9): 097306.

    3.    Yongliang Li*, Qiuxia Xu, Wenwu Wang, and Jing Zhang. Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7 (8):P435-P439.

    4.    Qiuxia Xu, Gaobo Xu, Yongliang Li, et al. Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/HfLaON/ILSiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (4): 991-997.3.

    专利申请:

  • 1. 李永亮,王文武,一种半导体结构及其制备方法,申请日:2018年8月1日,申请号:201810864107.9

    2. 李永亮,王文武,一种半导体器件的形成方法,申请日:2018年8月29日,申请号:201810997001.6

    3. 李俊杰,李永亮,王文武,半导体器件与其制作方法,申请日:2018年6月11日,申请号:201810596940.X

    4. 李俊杰,李永亮,王文武,半导体器件与其制作方法,申请日:2018年6月11日,申请号:201810596468.X

    5. Yongliang Li, Qiuxia Xu. Method for etching Mo-based metal gate stack with Aluminium nitride barrier, 申请号:US 13/001,493, 公开号:US8163620 B2,公告号: US20110263114.

    6. Qiuxia Xu, Yongliang Li. Manufacturing method for structure of metal gate/ high k gate dielectric stack layer,申请号:PCT/CN2010/001456, 公开号:WO2011124003A1,公告号:CN102214563A, CN102214563B, US8258063, US20110256704.

    7. Qiuxia Xu, Yongliang Li. Method for manufacturing metal gate stack structure in gate-first process, 申请号:US 13/129,584, 公开号:US8598002 B2, 公告号:CN102280375A, CN102280375B, US20120003827, WO2011153843A1.

    8. Qiuxia Xu, Yongliang Li, Gaobo Xu. Method for manufacturing CMOS FET, 申请号:US 13/576,658, 公开号:US8530302 B2, 公告号:CN102915917A, CN102915917B, US20130078773, WO2013016917A1.

    9. Qiuxia Xu, Yongliang Li. Method for manufacturing a metal gate electrode/high K dielectric gate stack,申请号:PCT/CN2010/001456, 公开号:US8258063 B2, 公告号: CN102214563A, CN102214563B, US20110256704, WO2011124003A1.

    10. Qiuxia Xu, Yongliang Li. Method for removing polymer after etching gate stack structure of high-k gate dielectric/metal gate, 申请号:PCT/CN2011/070996, 公开号:US20120115321 A1, 公告号:US8334205.

    11. Qiuxia Xu, Yongliang Li. Polymer removing method after etching gate stack structure with high-k gate dielectric/metal gate, 申请号:PCT/CN2011/070996, 公开号:WO2012062059 A1, 公告号:CN102468131A, CN102468131B.

    12. 李永亮,徐秋霞,TaN材料湿法腐蚀以及TaN材料腐蚀方法,申请号:CN 200810223349,公开号:CN101397499 B,公告号:CN101397499A

    13. 李永亮,徐秋霞,一种选择性去除TaN金属栅材料的方法,申请号:CN 200910307689,公开号:CN101656208 B,公告号:CN101656208 A

    14. 李永亮,徐秋霞,一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法,申请号:CN 201010157530,公开号:CN102237268 B,公告号:CN102237268A

    15. 李永亮,徐秋霞,以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法,申请号:CN 201010157538,公开号:CN102237269 B,公告号:CN102237269A

    16. 李永亮,徐秋霞,以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法,申请号: PCT/CN2010/001459,公开号:WO2011130890 A1

    17. 李永亮,徐秋霞,一种克服Mo基金属栅叠层结构制备中Mo与硅反应的方法,申请号:CN 200910237091, 公开号:CN102054680 A

    18. 李永亮,徐秋霞,一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀工艺,申请号: CN 201010223352,公开号:CN102315115A

    19. 李永亮,徐秋霞,一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法,申请号:CN 201010223348,公开号:CN102315117 B,公告号:CN102315117A

    20. 李永亮,徐秋霞,金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法,申请号:CN 201010269029,公开号:CN102386076 B,公告号:CN102386076A

    获奖及荣誉:

  • 1.  中国科学院院长优秀奖一次

    2.  中国科学院朱李月华奖一次

    3.  联华电子(UMC)专案团队优良专案

    4.  联华电子(UMC)最佳知识文件奖