• 姓名: 苏永波
  • 性别: 
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 副主任
  • 学历: 
  • 电话: 
  • 传真: 
  • 电子邮件: 
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 

    简  历:

  • 2005年毕业于河北工业大学信息工程学院,获得学士学位,2011年于皇家赌场网址hj9990获得工学博士学位并留所工作,2014年入选中国科学院青年创新促进会,现任高频高压中心副研究员、课题组长,曾先后参与并承担了国家重点基础研究发展计划、国家科技重大专项、中科院知识创新工程重要方向项目、“十二五”、“十三五”ZB预先研究项目等多项科研任务。发表文章二十余篇,培养博士生2名,硕士生5名。

    长期从事InP基微波毫米波器件与集成电路研究工作,具有深厚的理论基础和丰富的实践经验。在攻读博士学位期间,开发了InP HBT三台面器件的BCB平坦化工艺、InP材料的ICP干法刻蚀工艺,将器件发射极缩小到0.5μm,研制出针对毫米波功率放大器设计以及针对超高速数字电路设计的InP DHBT晶体管,器件截止频率超过250GHz,最高振荡频率大于600GHz,在国内建立了具有独立知识产权的3英寸InP HBT MMIC整套工艺流程,其中关键工艺包括发射极基极金属自对准、ICP干法刻蚀、BCB平坦化、TaN电阻薄膜溅射、CVD生长SiN介质,MMIC整套工艺中集成了InP HBT晶体管、TaN电阻、SiN MIM电容、螺旋电感、CPW传输线,满足毫米波集成电路与超高速数字电路的设计与制作,从工艺方面建立了成熟可靠的InP HBT器件工艺流程。2011年留所工作后,研究领域拓展到器件模型与电路设计与测试方面,依据InP HBT器件研制工艺,建立了InP HBT大信号模型库,开发了基于InP HBT的电路设计套件,具备DRC、LVS功能,应用于InP HBT相关项目中的3mm以及超高速电路设计;基于研发的InP HBT MMIC工艺以及电路设计开发套件设计并研制了500MHz~40GHz静态分频器系列电路、10MHz~50GHz宽带混频器芯片、20Gbps DEMUX等超高速数模混合芯片。

    社会任职:

    研究方向:

  • InP基微波毫米波器件与集成电路研究

    承担科研项目情况:

    代表论著:

    专利申请:

    获奖及荣誉: