• 姓名: 彭松昂
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 
  • 电话: 
  • 传真: 
  • 电子邮件: 
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 

    简  历:

  • 教育背景

    2010.9-2015.6,中国科学院大学研究生院,微电子学与固体电子学,博士 

    2006.9-2010.6,河南大学,物理学,学士

    工作简历

    2018.3-至今,皇家赌场网址hj9990,副研究员 

    2015.7-2018.3,皇家赌场网址hj9990,助理研究员

    社会任职:

    研究方向:

  • 二维材料电子器件与电路

    承担科研项目情况:

  • 国家自然科学基金青年基金项目(61704189):基于石墨烯异质结构的二维过渡金属硫化物器件界面物性调控研究(2017-2019)

    中科院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题“石墨烯与金属及金属氧化物的界面调控和机理研究”(2015-2016)

    代表论著:

  • 1、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors?”, Adv. Electron. Mater, 2018, 4 (8).

    2、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor”, ACS. Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (8), pp 6661–6665.

    3、Song-ang Peng, Zhi Jin, Dayong Zhang et al. “Evidence of electric field tunable tunneling probability in graphene and metal contact”, Nanoscale. 2017,9 (27), 9520-9528.

    4、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Effect of source-gate spacing on dc and rf characteristic of graphene field effect transistor”, Appl. Phys. Lett. 106(2015) 022504.

    5、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity”, Carbon. 82 (2015) pp.500-505.

    6、Song-ang Peng, Zhi Jin, Peng Ma et al. “Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation”, Appl. Phys. Lett. 103(2013) 223505.

    专利申请:

    获奖及荣誉:

  • 2010-2011年中国科学院研究生院三好学生

    2015年中国科学院院长奖学金(优秀奖)

    2015年研究生国家奖学金