• 姓名: 王盛凯
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995593
  • 传真: 010-62021601
  • 电子邮件: wangshengkai@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士

    2006.9-2008.9 哈尔滨工业大学 材料科学与工程系 硕士

    2002.9-2006.8 哈尔滨工业大学 材料科学与工程系 学士

    工作简历

    2015.8-至今 中科院澳门皇家赌场娱乐 副研究员,课题组长

    (2019.1-至今) 中科院澳门皇家赌场娱乐青促会副组长

    2015.4-2015.7 东京大学 材料工程系 公派访问学者

    2013.10-2015.3 中科院澳门皇家赌场娱乐 副研究员

    2011.10-2013.9 中科院澳门皇家赌场娱乐 助理研究员

    社会任职:

    研究方向:

  • MOS表面与界面科学, 仿生智能器件与应用

    承担科研项目情况:

  • 1.        中国科学院青年促进会项目 (2017-2020) 80万元 负责人

    2.        中物院横向项目3项 (2017-2020) 166.8万元 负责人

    3.        国家自然科学基金青年基金项目(61204103) “Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究”(2013-2015)31万元

    4.        中国科学院人才基金A类重点项目-“基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究”(2013-2014)50万元

    参与科研项目情况:

    骨干参与02专项课题、国家重点研发计划、973项目课题4项

    代表论著:

  • 发表期刊和会议论文70余篇(一作17篇),H因子14,总引用696

    (数据来源Google Scholar 2019-06-12)

    1.        Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu, “High Temperature 1MHz Capacitance Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System”, J. Appl. Phys., 123 135302 (2018).

    2.        S. K. Wang, “Germanium and III-Vs for future logic (Invited)”, Compound Semiconductor-International, March 7-8, Brussels Belgium, 2017.

    3.        S. K. Wang, H. G. Liu, “Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces”, in book entitled “Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges”, Springer Publisher, New York, USA, 2017.

    4.        S. K. Wang, B. Sun, M. Cao, H. D. Chang, Y. Y. Su, H.-O. Li, H. G. Liu*, “Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations”, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).

    5.        Y. Xu, S. K. Wang*, Y. Wang, D. Chen, “A Modified low-temperature wafer bonding method using spot pressing bonding technique and water glass adhesive layer”, Jpn. J. Appl. Phys., 57(2S1), 02BD01 (2017).

    6.        S. K. Wang, L. Ma, H. Chang, B. Sun, Y. Y. Su, L. Zhong, H. O. Li, Z. Jin, X. Y. Liu, H. Liu*, “Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAs Channel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric”, Chin. Phys. Lett., 34(5), 057301 (2017).

    7.        S. K. Wang, “Turbo charging the channel (Invited feature)”, Compound Semiconductor, 1, 22-30, (2016).

    8.        S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, “Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process”, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).

    9.        X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, “Al2O3/GeOx gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method”, Appl. Phys. Lett., 105, 092101 (2014).

    10.        L. Han, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Q. Xue, W. Wu, Y. Zhao, H. G. Liu*, “Effect of ultrathin GeOx interfacial layer formed by thermal oxidation on Al2O3 capped Ge”, Chin. Phys. B, 23(4), 046804 (2014).

    11.        S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, “Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Appl. Phys. Lett., 101, 5 (2012)

    12.        Y. Li, S. K. Wang, B. Sun, H. Chang, W. Zhao, X. Zhang, and H. Liu*, “Room temperature wafer bonding by surface activated ALD- Al2O3”, ECS Trans., 50 (7) 303-311 (2012)

    13.        S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Isotope tracing study of GeO desorption mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O”, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DA01 (2011).

    14.        S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Kinetic Effects of O-vacancy Generated by GeO2/Ge Interfacial Reaction”, Jpn. J. Appl. Phys., 50, 10PE04-1 (2011). Selected as the Spotlight paper of Japanese Journal of Applied Physics 2011.

    15.        S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, “Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure”, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).

    专利申请:

  • 74项专利申请(第一发明人25项),授权17项(含美国专利1项)。

    获奖及荣誉:

  • 1.        2017-2020, 中国科学院青年创新促进会会员

    2.        2018,中科院澳门皇家赌场55533网址科普大赛一等奖

    3.        2017,中科院澳门皇家赌场55533网址科普大赛一等奖

    4.        2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan.

    5.        2009-2011, Global Center of Excellence Scholarship, Japan.

    6.        2008, 哈尔滨工业大学优秀毕业生-金牌

    7.        2006, 国防科工委优秀毕业生