• 姓名: 王鑫华
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 高频高压中心副主任 所团委副书记 天津市滨海新区微电子研究院常务副院长
  • 学历: 博士研究生
  • 电话: 15901521386
  • 传真: 
  • 电子邮件: wangxinhua@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2003.9—2007.7 南京理工大学 电子科学与技术 学士学位

    2007.9—2012.7 皇家赌场网址hj9990 微电子与固体电子学 博士学位

    工作简历

    2012.7—2017.4 皇家赌场网址hj9990 助理研究员,所团委委员

    2017.4—2017.5 皇家赌场网址hj9990 副研究员,所团委委员

    2017.5—2018.12 皇家赌场网址hj9990 副研究员,所团委副书记

    2018.12—2019.5 皇家赌场网址hj9990 副研究员,高频高压中心副主任,所团委副书记

    2019.6—至今 皇家赌场网址hj9990 副研究员,高频高压中心副主任,所团委副书记

    天津市滨海新区微电子研究院 常务副院长(兼)

    社会任职:

  • 中国科学院青年创新促进会会员,国际电子器件权威期刊IEEE T-ED, T-PEL, T-IE及电子材料领域期刊ACS AEM等审稿人

    研究方向:

  • III族氮化物微波功率器件研制及器件物理研究

    承担科研项目情况:

  • 1.        中国科学院青年创新促进会会员项目;

    2.        国家外国专家局“创新人才培训计划”短期项目

    3.        中科院科技服务网络(STS)区域重点项目,“硅基氮化镓增强型电力电子核心器件与产业化”项目,项目负责人;

    4.        国家重大科研仪器研制项目,“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”项目,子课题负责人;

    5.        国家自然科学基金青年项目,“兼容CMOS工艺的Ga2O3辅助GaN-to-Si异质键合技术及机理研究”项目,项目负责人;

    6.        国家自然科学基金重点项目,“宽频段全数字发信机设计理论与关键技术”项目,子课题负责人;

    7.        上市公司研发中心委托技术研发项目,项目负责人;

    代表论著:

  • [1] Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018,10(25), pp. 21721–21729.

    [2] Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 2015, 36(7), p.666

    [3] Xinhua Wang, et al. Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD- and PECVD-SiNx Passivation. International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing technology. May 18th-21st, 2015, Scottsdale, Arizona, USA

    [4] Wang Xinhua, et al. Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN Buffer. IEEE Transaction on Electron Device. 2014, 61(5),p. 1341

    [5] Wang Xin-Hua,et al. The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors. Chinese physics B, 2010,19(9):097302

    专利申请:

  • 1. US 14/821,203,Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same

    2. US 15/060,406,Low Damage Etching Method for III-nitride

    3. US 15/333,674,SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

    获奖及荣誉:

  • 2012年中国科学院院长优秀奖

    2015年度澳门皇家赌场娱乐十佳先进工作者