• 姓名: 孙兵
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995593
  • 传真: 010-62021601
  • 电子邮件: sunbing@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2005.09-2010.07 北京大学信科微电子系 硕博连读

    2001.09-2005.07 南京大学物理学系 本科

    工作简历

    2014.12-至今 皇家赌场网址hj9990 副研究员

    2010.07-2014.11 皇家赌场网址hj9990 助理研究员

    社会任职:

    研究方向:

  • 高迁移率CMOS技术与器件

    承担科研项目情况:

  • 1. 国家自然科学基金青年基金项目,高迁移率Ⅲ-Ⅴ MOS器件复合栅介质界面调控机理的研究,61106095,2012-2014年,28万元,项目负责人,已结题。

    2. 国家重点研发计划:“碳基/硅基CMOS 电路的混合集成”课题,2016YFA0201903,240万元,2016.7-2021.6, 子课题负责人,在研。

    3. 国家973项目(2010CB327501)课题:“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”(2010-2014),参与人,已结题。

    4. 国家973项目(2011CBA00605)课题:“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”(2011-2015),参与人,已结题。

    5. 国家02科技重大专项课题(2011ZX02708-003):“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”(2011-2014),参与人,已结题。

    代表论著:

  • 1. B. Sun, H. D. Chang, S. K. Wang, P. Ding, J. B. Niu, Z. J. Gong, H.-G Liu, “100-nm Gate-Length GaAs mHEMTs Using Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz”, The 7th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2016), T9-5, May 9-11, 2016, Chengdu, China.

    2. B. Sun, Z. H. Zeng, H. D. Chang, Q. L. Sun, S. K. Wang, W. X. Wang, H. -G. Liu, “InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique”, Extend Abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), p.124, 2014, Tsukuba, Japan.

    3. B. Sun, W. Zhao, S. Y. Li, H. D. Chang, S. K. Wang, J. Q. Pan, H. -G. Liu, “The effect of in-situ ozone annealing per cycle on Al2O3 gate dielectric deposited by atomic layer deposition using TMA and H2O for InGaAs MOS capacitor”, The 12th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology (ICSICT-2014), Oct. 28- 31, 2014, Guilin, China.

    4. B. Sun, H. D Chang, L. Lu, H. -G. Liu, D. X. Wu, “High-Quality Single Crystalline Ge (111) Growth on Si (111) Substrates by Solid Phase Epitaxy”, Chin. Phys. Lett. Vol. 29, No. 3 (2012)036102.

    5. B. Sun, L. S. Wu, H. D. Chang, W. Zhao, B. Q. Xue, H. -G. Liu, “Source/Drain Ohmic Contact Optimization for GaSb pMOSFETs”, The 11th International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technolog (ICSICT-2012), Xi’ An, Oct. 29 - Nov. 1, 2012.

    专利申请:

  • PCT专利申请:

    1. 孙兵,刘洪刚,赵威,王盛凯,常虎东,在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法,PCT/CN2014/075402

    授权专利:

    1. 孙兵,刘洪刚,一种高迁移率衬底结构及其制备方法,CN 102569364B。

    2. 孙兵,刘洪刚,一种高迁移率CMOS集成单元,CN 102544009B。

    3. 孙兵,刘洪刚,赵威,王盛凯,常虎东,一种纳米线衬底结构及其制备方法,CN 103633123B

    获奖及荣誉: