• 姓名: 杨涛
  • 性别: 男
  • 职称: 正高级工程师
  • 职务: 对外技术服务主管
  • 学历: 工学博士
  • 电话: 010-82995563
  • 传真: 010-82995783
  • 电子邮件: tyang@ime.ac.cn
  • 所属部门: 集成电路先导工艺研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2003.09-2007.01,大连理工大学,材料表面工程,博士

    2001.09-2003.09,大连理工大学,材料学,硕士

    1997.09-2001.07,大连交通大学,材料科学与工程,学士

    工作简历

    2007.07-2009.10,中芯国际集成电路制造有限公司,逻辑技术发展中心

    2009.11至今,皇家赌场网址hj9990,集成电路先导工艺研发中心

    社会任职:

  • 平坦化技术联盟委员

    研究方向:

  • 先进IC制造中新材料和新结构器件的CMP和WET工艺研发

    承担科研项目情况:

  • 1. 科技部02重大专项:22纳米集成电路先导工艺研发

    2. 海归团队创新项目的子课题:新型微电子器件及其集成封装的前瞻性研究 ---子课题:高迁移率器件研究

    3. 国家973项目的二级课题:适用于低温环境的微纳多传感器MEMS系统基础研究与新型集成工艺探索

    4. 国家科技重大专项项目的子课题:面向45-22nm 铜互连和三维封装TSV的PVD设备的工艺模块开发

    5. 知识创新工程领域前沿项目:基于CMOS技术的薄膜能量收集

    6. 知识创新工程领域前沿项目:15纳米若干关键工艺技术研究

    7. 知识创新工程领域前沿项目:16纳米硅基三维器件

    代表论著:

  • 1、 T. Yang, C. Zhao, G. B. Xu, Q. X. Xu, J. F. Li, W. W. Wang, J. Yan, H. L. Zhu, and D. P. Chen, HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution, Electrochemical and Solid-State Letters, 15 (5) H141-H144 (2012)

    2、 T. Yang, H. X. Yin, Q. X. Xu, C. Zhao, J. F. Li, D. P. Chen, Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching, China Semiconductor Technology International Conference 2011 (CSTIC 2011), ECS Transactions - CSTIC 2011, Dry and Wet Etch and Cleaning, volume 34, pp. 361-364

    专利申请:

  • 已申请国内外发明专利20项。

    获奖及荣誉:

  • 2010及2013年度皇家赌场网址hj9990优秀员工