• 姓名: 田晓丽
  • 性别: 女
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 
  • 电话: 
  • 传真: 
  • 电子邮件: 
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2002.09-2006.07,四川大学,学士

    2006.09-2009.06,四川大学,硕士

    2012.09-至今,中国科学院大学,博士研究生

    工作简历

    2009.07-至今,皇家赌场网址hj9990  

    社会任职:

    研究方向:

  • IGBT/FRD等电力电子器件及工艺研究

    承担科研项目情况:

  • (一)作为负责人承担的课题: 

    1. 重大科技(02)专项 二级子课题《逆导型RC-IGBT关键技术研究及产品研制》(2011ZX02503-003-001);

    2. 中科院澳门皇家赌场娱乐所长基金项目《一种新型的绝缘栅双极晶体管-逆导型IGBT(RC-IGBT)的模型与关键技术研究》(NO. Y1GZ241s01) 

    (二)作为核心骨干参与的课题:

    1. 重大科技(02)专项一级课题《1700V-6500V IGBT产品的产业化设计研发》 

    2. 重大科技(02)专项一级课题《IGBT产品开发、测试与可靠性研究》 

    3. 重大科技(02)专项一级课题《测试及可靠性服务平台建设》 

    4. 重大科技(02)专项一级课题《高压IGBT芯片产品检测与考核公共实验室建设》 

    5. 中科院重要方向性项目《面向电动汽车和智能电网应用的电力电子器件国产化研制》 

    6. 中科院院地合作项目《面向智能电网和高铁应用的IGBT器件产业化》 

    7. 中科院院地合作项目《电动汽车用高压大功率电力电子器件产业化应用解决方案》 

    8. 广东省中科院全面战略合作项目《基于家电与工控领域的新型功率器件研发与产业化》

    代表论著:

  • [1]. Tian Xiaoli, Chu Weili, Lu Jiang, et al. “A novel optimization design for 3.3kV injection-enhanced gate transistor”. Journal of Semiconductors, 2004, 35(1):014005-1

    [2]. Tian Xiaoli, Lu Jiang, Teng Yuan, et al. “Backside optimization for improving avalanche breakdown behavior of 4.5kV IGBT”. Journal of Semiconductors, 已接收.

    [3]. 出版译著:B.J.Baliga著,第八章翻译,功率半导体器件基础,电子工业出版社, 2013

    [4]. Zhang Wenliang, Zhu Yangjun, Lu Shuojin, Tian Xiaoli, Teng Yuan. “Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design”. Electron Device Letters, IEEE, 已接收.

    [5]. Zhang Wenliang, Tian Xiaoli, Tan Jingfei, et al. “The snap-back effect of RC- IGBT and its simulations”. Journal of Semiconductors, 2013, 34(7):86-90.

    [6]. Lu Jiang, Tian Xiaoli, Lu Shuojin, et al. “Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions” . Journal of Semiconductors, 2013, 34(3):26-30.

    专利申请:

  • 1. 田晓丽,朱阳军,吴振兴,张彦飞,卢烁今,一种场限环结构,201120209191.4

    2. 田晓丽,朱阳军,吴振兴,卢烁今,结终端延伸结构及其制造方法,201110166489.6

    3. 田晓丽,朱阳军,卢烁今,吴振兴,一种中高压IGBT终端,201320121922.9

    4. 田晓丽,朱阳军,陆江,赵佳,左小珍,一种IGBT的版图,201320121908.9

    5. 田晓丽,朱阳军,吴振兴,陆江,一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法,201310085560.7

    6. 田晓丽,朱阳军,张文亮,吴振兴,RC-IGBT及其制作方法,PCT/CN2012/086018

    7. 朱阳军,田晓丽,张文亮,卢烁今,张杰,一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法,201310086221

    8. 张文亮,田晓丽,朱阳军,吴振兴,逆导型IGBT的制备方法,201210526292.3

    9. 张文亮,田晓丽,朱阳军,胡爱斌,逆导型IGBT的背面结构及其制备方法,201210526482.5

    10. 张文亮,田晓丽,朱阳军,卢烁今,一种逆导型IGBT的背面版图布局,201220689587.8

    获奖及荣誉: