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  王守武(1919.3.15-2014.7.30),半导体器件物理学家,江苏苏州人。

  1919315日生于江苏苏州,1936年至1941年就读于同济大学机电系,获学士学位;1945年至1949年就读于美国普渡大学获硕士、博士学位;1950年回国参加新中国建设,1960年加入中国共产党,1979年荣获“全国劳动模范”称号,1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。任第三、四届全国人大代表,第五、六、七届全国政协委员。1980年至1985年任中科院109厂(现澳门皇家赌场55533网址)厂长,1986年起任中科院微电子中心(现澳门皇家赌场55533网址)名誉主任,中科院澳门皇家赌场娱乐名誉所长。2014730日逝世,享年95岁,骨灰安放于八宝山革命公墓。

  主要科研成就

  著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一

  19527月,与同事一起安装调试成功中国第一台电子显微镜。

  1956 参与全国十二年科学技术发展远景规划的制定工作,参与制定了半导体发展十二年规划;11月,研制成功我国第一只晶体三极管。

  1957 设计并指导制作我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉;11月,拉制成功我国第一根锗单晶;领导半导体研究室研制成功我国第一批锗合金结晶体管,并掌握了锗单晶中的掺杂技术。

  19587月,拉制成功我国第一根硅单晶;参与成立了我国第一个晶体管工厂—109厂。

  1959 领导109厂为109乙型计算机提供了多品种、批量的锗高频合金扩散晶体管。

  1963 9月,“用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命”成果获中国科学院第一批奖励发明项目三等奖;12月,成功研制我国第一只半导体受激发光器。

  1965 4月,研制出的硅平面器件通过中国科学院院级鉴定。

  19668月,领导半导体所和109厂为我国首台组件计算机—156工程样机研制和生产了组件。

  1975 建成一条230平方米的超净试验线。

  1978 领导研制的室温同质结脉冲GaAs激光器、大气光通信与半导体激光器荣获全国科技大会奖。

  1979928日,研制成功4千位MOS动态随机存储器,为国内最高水平;12月,“NMOS4千位动态随机存储器提高管芯成品率的研究”获中国科学院科研成果奖一等奖。

  1980 研制出16千位RAM样品,其主要参数达到了国际同类产品水平,获中国科学院科研成果奖一等奖。

  1986 集成电路大生产试验获得国家计委科技攻关成绩显著表彰及中国科学院六五科技攻关重要贡献表彰。

  1987 世界新技术革命和我国的对策获国家科学技术进步奖二等奖。

  1989 与他人共同完成的“3微米LSI(大规模集成电路)中试线的建设”获1989年中国科学院科技进步奖二等奖。

  1990 集成电路中试生产线获中国科学院科技进步奖二等奖。

  2000 获何梁何利科学与技术进步奖。

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